2SK1117-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、2SK1117-VB 产品简介

2SK1117-VB 是一款单一 N 通道 MOSFET，封装形式为 TO220。该型号采用 Plannar 技术制造，具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于中功率电路设计。其最大漏源电压（VDS）为 600V，最大栅源电压（VGS）为 ±30V，阈值电压（Vth）为 3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在 VGS=4.5V 时为 1070mΩ，在 VGS=10V 时为 780mΩ，最大漏极电流（ID）为 8A。

### 二、2SK1117-VB 详细参数说明

- **型号**：2SK1117-VB
- **封装**：TO220
- **类型**：单一 N 通道
- **技术**：Plannar
- **最大漏源电压 (VDS)**：600V
- **最大栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
  - @ VGS=4.5V：1070mΩ
  - @ VGS=10V：780mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：8A
- **导通延迟时间**：< 10ns
- **关断延迟时间**：< 20ns
- **总栅电荷 (Qg)**：40nC
- **栅极-漏极电荷 (Qgd)**：10nC
- **漏极-源极电荷 (Qgs)**：30nC
- **热阻 (RθJC)**：< 2.5°C/W
- **工作温度范围**：-55°C 至 175°C

### 三、应用领域和模块实例

#### 电源管理模块
2SK1117-VB 在中功率电源管理模块中有广泛应用，特别是在需要承受较高电压和电流的场合，如开关电源和稳压器。

#### 电动汽车充电器
由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻，该型号适用于电动汽车电池管理系统中的功率开关电路，确保系统的高效率和安全性。

#### 工业电机控制
在工业电机控制领域，2SK1117-VB 可用于各种中功率电机驱动和控制系统，如风力发电机、泵站控制等。

#### 电源逆变器
在太阳能和风能等可再生能源系统中，该型号可用于逆变器电路，帮助实现能量的高效转换和管理。

#### 高性能电源放大器
在音响系统和专业音响设备中，2SK1117-VB 可用于功率放大器电路，提供高保真度的音频放大。

综上所述，2SK1117-VB 在中功率电路设计中具有广泛的应用前景，是一款适用于多种电子设备和系统的高性能 MOSFET 元件。