2SK1024-01-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**产品型号：2SK1024-01-VB**

**封装类型：TO220**

**配置：单一N沟道**

**技术：SJ_Multi-EPI**

**主要特点：**
- **VDS（漏源电压）：** 900V
- **VGS（栅源电压）：** ±30V
- **Vth（阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 1500mΩ@VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 5A

2SK1024-01-VB是一款高压N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于高压应用。

### 参数说明

1. **基本参数：**
   - **型号：** 2SK1024-01-VB
   - **封装类型：** TO220
   - **配置：** 单一N沟道
   - **技术：** SJ_Multi-EPI

2. **电气特性：**
   - **漏源电压 (VDS)：** 900V
   - **栅源电压 (VGS)：** ±30V
   - **阈值电压 (Vth)：** 3.5V

3. **导通电阻 (RDS(ON))：**
   - **@ VGS=10V：** 1500mΩ

4. **漏极电流 (ID)：** 5A

5. **其他特性：**
   - **最大耗散功率：** 75W
   - **工作温度范围：** -55°C 至 150°C

### 应用领域和模块

1. **电源开关：**
   由于2SK1024-01-VB具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于各种高压电源开关和变换器中，提供稳定的功率输出。

2. **照明驱动：**
   在LED照明系统中，这款MOSFET可用于开关电源和驱动器，确保高效的能量转换和稳定的电流输出。

3. **电动汽车充电桩：**
   用于电动汽车充电桩中的功率开关，能够承受高电压和电流，确保充电效率和安全性。

4. **太阳能逆变器：**
   在太阳能逆变器中，2SK1024-01-VB可用于将直流太阳能电池的电能转换为交流电能，提供给家庭或商业用途。

综上所述，2SK1024-01-VB是一款高性能的高压N沟道MOSFET，适用于各种高压应用，如电源开关、照明驱动、电动汽车充电桩和太阳能逆变器等领域。