### 产品简介
**产品型号:2SK1024-01-VB**
**封装类型:TO220**
**配置:单一N沟道**
**技术:SJ_Multi-EPI**
**主要特点:**
- **VDS(漏源电压):** 900V
- **VGS(栅源电压):** ±30V
- **Vth(阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 1500mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 5A
2SK1024-01-VB是一款高压N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适用于高压应用。
### 参数说明
1. **基本参数:**
- **型号:** 2SK1024-01-VB
- **封装类型:** TO220
- **配置:** 单一N沟道
- **技术:** SJ_Multi-EPI
2. **电气特性:**
- **漏源电压 (VDS):** 900V
- **栅源电压 (VGS):** ±30V
- **阈值电压 (Vth):** 3.5V
3. **导通电阻 (RDS(ON)):**
- **@ VGS=10V:** 1500mΩ
4. **漏极电流 (ID):** 5A
5. **其他特性:**
- **最大耗散功率:** 75W
- **工作温度范围:** -55°C 至 150°C
### 应用领域和模块
1. **电源开关:**
由于2SK1024-01-VB具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适用于各种高压电源开关和变换器中,提供稳定的功率输出。
2. **照明驱动:**
在LED照明系统中,这款MOSFET可用于开关电源和驱动器,确保高效的能量转换和稳定的电流输出。
3. **电动汽车充电桩:**
用于电动汽车充电桩中的功率开关,能够承受高电压和电流,确保充电效率和安全性。
4. **太阳能逆变器:**
在太阳能逆变器中,2SK1024-01-VB可用于将直流太阳能电池的电能转换为交流电能,提供给家庭或商业用途。
综上所述,2SK1024-01-VB是一款高性能的高压N沟道MOSFET,适用于各种高压应用,如电源开关、照明驱动、电动汽车充电桩和太阳能逆变器等领域。