2SK1587-VB一种N-Channel沟道SOT89封装MOS管

### 产品简介详

2SK1587-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。其设计适用于要求快速开关和低功耗的应用，如电源管理、电机驱动和负载开关等。该型号封装为SOT89，便于集成到紧凑的电路板设计中。

### 详细参数说明

- **封装类型**: SOT89
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 30mΩ @ VGS = 2.5V
  - 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 6.8A
- **技术类型**: 沟槽型 (Trench)

### 应用领域和模块举例

2SK1587-VB 功率MOSFET适用于多个领域和模块，以下是一些具体的应用实例：

1. **电源管理**：
   该MOSFET在开关电源（SMPS）中用于高效的功率转换，降低导通损耗，提高整体系统效率。

2. **电机驱动**：
   适用于直流电机控制器和步进电机驱动模块中，通过提供快速切换和低导通电阻，提升电机性能和节能效果。

3. **负载开关**：
   在便携设备和电池供电设备中，2SK1587-VB 可用于控制电路中的高电流开关操作，确保低功耗和稳定的性能。

4. **照明控制**：
   可用于LED驱动电路，通过高效的开关特性，确保LED灯具的高亮度和长寿命。

通过这些应用实例，可以看出2SK1587-VB 在现代电子设备中的广泛应用潜力，其高性能和低损耗特性为各种电路设计提供了可靠的解决方案。