2SK2211-VB一种N-Channel沟道SOT89封装MOS管

### 产品简介

2SK2211-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 SOT89 封装。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS），适用于低电压应用场合。主要特点包括6.8A的漏极电流（ID）、30mΩ @ VGS=2.5V 和 22mΩ @ VGS=4.5V 的导通电阻（RDS(ON)）、1.7V的阈值电压（Vth），以及采用沟道结构技术制造，提供良好的开关性能和可靠性。

### 详细参数说明

- **型号**：2SK2211-VB
- **封装**：SOT89
- **配置**：单 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：30mΩ @ VGS=2.5V、22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID)**：6.8A
- **技术**：沟道结构

### 应用领域和模块

2SK2211-VB 适用于低电压和中功率应用场合。

1. **移动设备**：由于其小封装和低功率特性，该器件适用于移动设备中的电源管理和控制模块，如智能手机、平板电脑等。

2. **电源管理**：在各种低功率电源应用中，2SK2211-VB 能够提供可靠的开关性能和高效的电能转换，适用于小型电源适配器和充电器等。

3. **传感器接口**：在传感器接口电路中，该器件可用于信号放大和开关控制，确保传感器的稳定工作和低功耗。

4. **LED驱动**：虽然漏极电流较低，但对于低功率 LED 灯具的驱动电路，2SK2211-VB 仍然是一个合适的选择，提供稳定的电流控制。

综上所述，2SK2211-VB 是一款适用于低电压和中功率应用的 MOSFET，具有良好的开关性能和可靠性，适用于移动设备、电源管理、传感器接口和LED驱动等领域。