2SK2719-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2SK2719-VB 产品简介

2SK2719-VB 是一款单N沟道MOSFET，具有900V的漏源电压和9A的漏极电流能力。采用TO3P封装，适用于需要高电压和中等电流的应用场合。其低导通电阻和合适的阈值电压使其在功率开关和电源管理应用中表现出色。

### 2SK2719-VB 详细参数说明

- **型号**: 2SK2719-VB
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 900V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 750mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

1. **电力供应**：
   2SK2719-VB 可用于高压电力供应系统中的功率开关和保护电路。其高电压和电流能力使其适用于这些高压环境中的使用。

2. **工业控制**：
   在工业控制系统中，这种MOSFET可用于高压开关和驱动电路。其高性能和可靠性使其成为工业应用中的理想选择。

3. **电动汽车充电**：
   在电动汽车充电桩中，2SK2719-VB 可用于开关电源和电池管理系统。其高电压和电流能力确保了充电桩的高效能和稳定性。

4. **电源管理**：
   2SK2719-VB 可用于需要高电压和中等电流的电源管理模块，如开关电源和功率逆变器。其高电压和合适的电流能力使其成为这些应用中的理想选择。

这些示例说明了 2SK2719-VB 在各种领域和模块中的广泛应用，其高性能和可靠性使其成为各种高电压和电流应用的理想选择。