IPD90N04S4-05-VB和SI9407BDY-T1-GE3-VB是两款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于VBsemi品牌。以下是它们的详细参数和应用简介:
1. **IPD90N04S4-05-VB:**
- 丝印:VBE1405
- 类型:N沟道
- 额定电压(Vds):40V
- 连续漏极电流(Id):85A
- 开通电阻(RDS(ON)):4mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V
- 阈值电压(Vth):1.85V
- 封装:TO252
2. **SI9407BDY-T1-GE3-VB:**
- 丝印:VBA2658
- 类型:P沟道
- 额定电压(Vds):-60V
- 连续漏极电流(Id):-6A
- 开通电阻(RDS(ON)):50mΩ @ 10V, 61mΩ @ 4.5V
- 阈值电压(Vth):-1.5V
- 封装:SOP8
**比较与说明:**
- **性能比较:**
- IPD90N04S4-05-VB具有更高的额定电流和较低的开通电阻,适用于需要处理更大电流负载的应用。
- SI9407BDY-T1-GE3-VB在较低电压下具有较低的漏电阻。
- **阈值电压:**
- IPD90N04S4-05-VB的阈值电压为1.85V,适用于N沟道MOSFET。
- SI9407BDY-T1-GE3-VB的阈值电压为-1.5V,适用于P沟道MOSFET。
- **封装:**
- IPD90N04S4-05-VB采用TO252封装,适用于不同的应用环境。
- SI9407BDY-T1-GE3-VB采用SOP8封装,适用于集成度较高的应用。
**应用领域:**
根据其参数,这两款MOS管适用于功率放大器、开关电源、电源管理等应用。选择取决于具体应用的电流和电压要求。
请注意,最终选择应基于具体应用的要求和性能需求。