SI4413BDY-T1-E3-VB一款P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**SI4413BDY-T1-E3-VB 技术规格:**

- **丝印:** VBA2311
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
  - P—Channel沟道
  - 额定电压: -30V
  - 额定电流: -11A
  - RDS(ON): 10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压 (Vth): -1.42V
- **封装:** SOP8

**详细性能描述:**

SI4413BDY-T1-E3-VB 是一款卓越的P-Channel沟道MOSFET，以以下特性脱颖而出：
- **高性能:** 高达-30V的额定电压和低RDS(ON)确保高效能量传输。
- **可靠控制:** 一致的阈值电压(Vth)提供可靠的性能。

**应用概要:**

1. **电源开关模块:**
   - 用于设计高效、可靠的电源开关系统。

2. **电动工具控制:**
   - 作为电流控制器，确保电动工具系统的高效性能。

3. **LED照明系统:**
   - 在LED照明控制电路中，提供可靠的电流和电压控制。

**应用案例:**

SI4413BDY-T1-E3-VB 适用于各种领域，如电源开关模块、电动工具和LED照明系统，为这些应用提供高性能的电源解决方案。