2302AGN-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

本文介绍了2302AGN-VB型号的SOT23封装N-Channel沟道MOSFET,具有20V额定电压和6A额定电流,适用于高性能开关应用,如电源管理、电池管理、电机驱动和电力转换等。
摘要由CSDN通过智能技术生成

2302AGN-VB 参数:
- 丝印:VB1240
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 类型:N—Channel沟道
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- 开态电阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压(Vth):0.45~1V

应用简介:
2302AGN-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道MOSFET,具有20V的额定电压和6A的额定电流。其开态电阻在不同电压下表现优异,适用于高性能的功率开关应用。

应用领域:
该器件广泛应用于各种领域,包括但不限于:
1. 电源管理模块
2. 电池管理系统
3. 电机驱动器
4. 逆变器和升压转换器
5. LED照明驱动

2302AGN-VB可在需要高性能N—Channel MOSFET的电子设备和模块中提供可靠的功率开关和调节功能。

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