**2305AGN-HF-VB 详细规格:**
- **丝印:** VB2355
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P-Channel
- 漏极-源极电压(V<sub>DS</sub>):-30V
- 漏极电流(I<sub>D</sub>):-5.6A
- 开态电阻(R<sub>DS(ON)</sub>):47mΩ @ V<sub>GS</sub>=10V, V<sub>GS</sub>=20V
- 阈值电压(V<sub>th</sub>):-1V
**应用简介:**
这款SOT23封装的P-Channel MOSFET(2305AGN-HF-VB)适用于各种应用,包括但不限于:
1. **电源管理模块:**
- 由于其P-Channel性质和低开态电阻,非常适合电源管理模块,其中高效的开关和控制至关重要。
2. **电池保护电路:**
- 该MOSFET可用于电池保护电路,可靠地控制充电和放电过程。
3. **电压调节模块:**
- 由于其特性,适用于电压调节模块,有助于稳定和高效的电压控制。
4. **便携式电子设备:**
- 考虑到SOT23封装的紧凑尺寸,这款MOSFET适用于各种便携式电子设备,其中空间是关键因素。
5. **汽车电子:**
- 在汽车电子中的应用,例如在车辆系统内的控制模块或电压调节中。
**注意:** 请始终参考制造商提供的数据表和应用注释,以获取准确的详细信息和使用指南。