2304AGN-HF-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

本文介绍了VBsemi2304AGN-HF-VB这款N-Channel沟道功率MOSFET的规格(30VVDS,6.5AID,30mΩRDS(ON)等),并详细说明了其在电源模块、电源开关、驱动器放大器和LED照明等领域的应用。强调了根据项目需求进行定制设计的重要性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

VBsemi 2304AGN-HF-VB 是一款 N-Channel 沟道功率 MOSFET,具有以下参数:

- 额定电压(VDS):30V
- 额定电流(ID):6.5A
- 导通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V

封装为 SOT23。

**应用简介:**
2304AGN-HF-VB 适用于多种应用场景,其中包括但不限于以下领域:

1. **电源模块:** 用于构建稳定的电源模块,确保电流传输的高效性和可靠性。

2. **电源开关:** 在开关电源电路中,提供高效能的开关功能,实现有效的能源转换。

3. **驱动器和放大器:** 在各种驱动器和放大器电路中,提供可靠的功率开关,确保高效的信号放大。

4. **LED照明:** 在 LED 驱动电路中,帮助实现高效的功率转换,提高 LED 照明系统的性能。

请注意,具体的应用和模块设计可能需要根据具体的项目需求进行调整和验证。

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