AP2316GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

最新推荐文章于 2024-04-09 10:36:54 发布
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分类专栏： mosfet应用与解析 文章标签： VBsemi MOS管 MOSFET
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VBsemi SOT23 N-Channel MOSFET, model AP2316GN-HF-VB, with silk screen VB1330.

Parameters:
- Voltage (V): 30V
- Current (I): 6.5A
- RDS(ON): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- Threshold Voltage (Vth): 1.2~2.2V

Package: SOT23

Application:
- Suitable for various modules and circuits requiring N-Channel MOSFETs.
- Commonly used in power management and switching applications.

领域和模块应用：
- 电源管理模块
- 开关电源模块
- 其他需要N沟道MOSFET的电路和模块

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AP2324GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
04-09 396
由于其N-Channel特性，通常用于电源开关、驱动电路和其他需要N-Channel MOSFET的电路。VBsemi AP2324GN-HF-VB是一款N-Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。- 开态电阻（RDS(ON)）: 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。2. 驱动电路：在电子设备中作为开关元件，例如电机驱动器、LED驱动器等。1. 电源开关：用于控制电路的开关，例如直流-直流转换器。请注意，具体的应用要根据项目需求和设计规范进行调整。- 额定电压（VDS）: 30V。
AP2326GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
04-09 259
导通电阻: 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V。- 主要用途: 高性能N-Channel沟道功率开关。- 在电机驱动器中，以提供可靠的功率控制。- 在汽车电子中，用于电动车辆电源控制等。**型号: AP2326GN-HF-VB**- 用于工控系统，提供可靠的功率开关。- N-Channel沟道。- 额定电压: 30V。5. **工业自动化:**- 丝印: VB1330。- 品牌: VBsemi。**领域和模块应用:**1. **电源管理:**2. **电机驱动:**
AP2322GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
04-09 231
N-Channel沟道，20V；**注意：** 请参阅官方产品资料表，获取详细的规格和信息。- 导通电阻：24mΩ @ VGS=4.5V，VGS=8V。- 阈值电压（Vth）：0.45~1V。- 晶体管类型：N-Channel。- 封装类型：SOT23。- 电压额定：20V。
AP2314GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
03-14 134
1. **电源模块：** 由于其N—Channel沟道类型和低阻态，适用于电源模块设计，提供可靠的电源输出。3. **电流控制应用：** 具有低RDS(ON)值，可在电流控制应用中实现高效的电流传导。2. **驱动模块：** 作为驱动模块的一部分，可用于控制其他器件的开关和电流传导。**VBsemi AP2314GN-HF-VB 详细参数说明：**- **型号：** AP2314GN-HF-VB。- **丝印：** VB1240。- **品牌：** VBsemi。- **封装：** SOT23。
AP2346GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
04-09 331
1. **电源管理：** 用于中等电压的电池管理、DC-DC转换器等电源管理模块。3. **高电流能力：** 6.5A的电流规格使其能够驱动中等功率负载。3. **LED照明：** 在LED照明控制电路中起到开关和调节的作用。2. **中等电压范围：** 30V的电压规格使其适用于中等电压电路。2. **电机驱动模块：** 用于中等功率的电机驱动控制模块。2. **电机驱动：** 可用于小型电机的驱动电路。- **电流规格：** 6.5A。- **电压规格：** 30V。**封装：** SOT23。
AP2330GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
04-09 311
1. **电源管理模块：** 由于其高电压和电流特性，AP2330GN-HF-VB可用于电源管理模块，支持各种电压和电流的要求，提供高效能的电源解决方案。3. **DC-DC转换器模块：** 在DC-DC转换器模块中，可用于电源的稳定控制，提供可靠的电源转换功能，适用于各种电子设备。2. **移动设备充电模块：** 适用于移动设备充电模块，通过对电源的有效控制，实现对电池的安全充电，提高充电效率。- **型号：** AP2330GN-HF-VB。- **封装：** SOT23。**适用领域和模块示例：**
AP2328GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
04-09 141
AP2328GN-HF-VB 是一款N—Channel沟道的场效应晶体管，具有30V的额定电压、6.5A的最大电流，采用 SOT23 封装。总的来说，AP2328GN-HF-VB 是一款性能卓越的 N—Channel 场效应晶体管，适用于多种电子模块，特别是在需要可靠电流控制的场景下发挥着关键作用。- 导通电阻：RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V。1. **电源管理模块：** 用于电源开关控制，提供高效的电源管理。2. **电机驱动模块：** 作为电机驱动器，实现对电机的可靠控制。
2314GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
03-26 235
1. **电源管理模块：** 由于其较低的导通电阻和适中的电压电流参数，可用于电源管理模块，如电源开关、稳压模块等。3. **LED驱动：** 在LED照明领域，可用于LED驱动电路，帮助实现高效能和稳定的LED照明系统。4. **电源逆变器：** 在逆变器电路中，用于将直流电源转换为交流电源，可应用于太阳能逆变器等。2. **电机驱动：** 适用于电机驱动电路，例如直流电机驱动，以实现有效的电流控制。**VBsemi 2314GN-HF-VB 晶体管的详细参数和应用简介：****详细参数说明：**
AP2344GN-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
04-09 134
由于其低漏极-源极电阻和高电流承受能力，它可以在要求较高功率和效率的电路中得到应用。- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：30mΩ（在VGS=10V, VGS=20V时）1. **功率放大器模块：** 由于其高电流承受能力，可用于音频功率放大器模块。3. **驱动电路：** 可用于各种需要 N—Channel 沟道的驱动电路。2. **开关电源模块：** 适用于开关电源模块，提供稳定的电源输出。- 额定电压（VDS）：30V。**典型应用领域和模块：**- 超低漏极-源极电阻。封装为 SOT23。
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