CEM4279-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号: CEM4279-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数: N+P—Channel沟道, ±60V, 6.5/-5A, RDS(ON)=28/51mΩ@VGS=10V,VGS=20V, Vth=±1.9V
封装: SOP8

详细参数说明:
- 型号: CEM4279-VB
- 沟道类型: N+P—Channel
- 额定电压: ±60V
- 最大电流: 6.5A (N-Channel), -5A (P-Channel)
- 开启电阻: 28mΩ (N-Channel @VGS=10V), 51mΩ (P-Channel @VGS=20V)
- 阈值电压: ±1.9V
- 封装: SOP8

应用简介:
CEM4279-VB适用于要求高性能的N+P—Channel MOSFET的电路和模块，特别适用于以下领域：
1. 电源管理模块: 用于高压电源、逆变器和稳压器，提供稳定、高效的电源管理。
2. 电动车辆充电桩: 用于电动车辆充电桩的电源转换器和电流控制器，实现快速充电和高效能量转换。
3. 工业自动化: 用于工厂自动化设备、机器人控制系统和电机驱动器，提供可靠的功率开关和电流控制。

示例应用:
1. 电动车辆充电桩: 在电动车辆充电桩的电源管理模块中，使用CEM4279-VB作为高压开关器件，实现快速、高效的电能转换和稳定的充电输出。
2. 工业逆变器: 在工业逆变器的电源模块中，采用CEM4279-VB作为功率开关，实现高效、可靠的能量转换和电压输出。
3. 电动机驱动器: 在工业机器人的电动机驱动器中，使用CEM4279-VB实现精确的电流控制和稳定的功率输出。