J166-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**VBsemi J166-VB MOSFET**

- **丝印:** VB264K
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
  - 封装: SOT23
  - 极性: P—Channel沟道
  - 额定电压: -60V
  - 额定电流: -0.5A
  - RDS(ON): 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压 (Vth): -1.87V

- **适用领域:**
  - 适用于需要 P-Channel 沟道 MOSFET 的电路设计。
  - 可用于低功耗应用和电源管理系统。

- **示例应用:**
  - 电源开关
  - 电流控制模块
  - 低功耗设备中的电流调节

注意: 请确保按照制造商提供的规格书和设计指南使用该器件。