J461-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**VBsemi J461-VB**

- **丝印：** VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **参数：** SOT23；P—Channel沟道，-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V；Vth=-1.87V
- **封装：** SOT23

**详细参数说明：**
- **型号：** J461-VB
- **封装类型：** SOT23
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大电压：** -60V
- **最大电流：** -0.5A
- **开态电阻：** RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压：** Vth=-1.87V

**应用简介：**
VBsemi的J461-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。具有最大-60V的电压承受能力，-0.5A的最大电流，以及在不同门源电压下的开态电阻。

**适用领域和模块举例：**
1. **电源管理模块：** J461-VB适用于电源管理模块，特别是在需要P—Channel沟道场效应晶体管来实现负载调整的电路中。
2. **电流控制器：** 由于其P—Channel沟道特性，可用于电流控制器中，帮助调整电流流过电路的情况。
3. **电源开关模块：** 作为电源开关的一部分，J461-VB可用于控制电路的通断状态。

这些举例说明了J461-VB在电源管理、电流控制和电源开关等领域的应用，为具有类似需求的电路设计提供了可靠的元器件选择。