2329S-VB SOT23-3一种P-Channel沟道SOT23-3封装MOS管

### 2329S-VB 产品简介

**2329S-VB** 是一款单极性 P-Channel MOSFET，采用 SOT23-3 封装，具有较高的漏极-源极电压和适中的漏源极电阻。它采用了沟槽（Trench）技术，适用于各种需要高效开关和低损耗的场景。

### 详细参数说明

| **参数**              | **数值**                       |
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| **封装**             | SOT23-3                     |
| **配置**             | 单-P-Channel                 |
| **漏源极电压 (VDS)**  | -100V                       |
| **栅源极电压 (VGS)**  | ±20V                        |
| **阈值电压 (Vth)**    | -2V                         |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 560mΩ @ VGS=4.5V            |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 500mΩ @ VGS=10V             |
| **连续漏极电流 (ID)** | -1.5A                       |
| **技术**             | 沟槽（Trench）               |

### 适用领域和模块

1. **电源逆变器**：2329S-VB 可以用于各种电源逆变器和开关电源中，提供高效的功率转换和稳定的电流传输。

2. **消费电子**：在消费电子产品中，如手机充电管理、电池保护电路等方面，该 MOSFET 可以提供高效的电流传输和稳定的性能。

3. **汽车电子**：由于其较高的漏极-源极电压和适中的漏源极电阻，2329S-VB 适用于汽车电子领域，如汽车照明控制、电动窗和座椅调节等应用场景。

4. **LED 照明**：2329S-VB 可以用于 LED 照明的电源驱动电路，提供稳定的电流输出和高效的能源利用率。

5. **便携式设备**：在便携式设备中，如平板电脑、笔记本电脑和便携式音响中，该 MOSFET 可以用于电源管理和电池保护电路，提供高效的电流传输和稳定的性能。