2329S-VB TO220一种P-Channel沟道TO220封装MOS管

### 一、产品简介

2329S-VB TO220 是 VBsemi 生产的一款高性能单P沟道MOSFET，封装为TO220，适用于负电压、中功率的电源开关和电机驱动等应用。采用沟槽技术（Trench），具有低导通电阻和高电流能力。

### 二、详细参数说明

- **型号**：2329S-VB TO220
- **封装**：TO220
- **配置**：单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：-100V
- **栅源极电压 (VGS)**：20（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：-2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
  - 178mΩ @ VGS=4.5V
  - 167mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-18A
- **技术**：沟槽技术（Trench）

### 三、应用领域和模块示例

1. **电源开关**：2329S-VB TO220 适用于负电压电源开关，如负电压直流稳压器和逆变器。其低导通电阻和负电压漏源极电压能够提供稳定可靠的电源开关和保护。

2. **医疗设备**：在一些需要负电压电源的医疗设备中，2329S-VB TO220 可以作为关键的功率开关元件，提供稳定的负电压输出。

3. **电动工具**：在需要负电压供电的电动工具中，2329S-VB TO220 可以作为电机驱动器的关键部件，提供高效能的功率开关和电流控制。

4. **电子测试设备**：在一些需要负电压供电的电子测试设备中，该MOSFET可以用于电源管理和电压调节，确保设备的正常工作。

5. **工业控制系统**：在需要负电压供电的工业控制系统中，2329S-VB TO220 可以作为关键的功率开关元件，确保系统的正常工作和高效能转换。

综上所述，2329S-VB TO220 在负电压、中功率应用领域有着广泛的应用前景，具有稳定可靠的性能和高效的电能转换能力。