UD4P20L-S08-R-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: UD4P20L-S08-R-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 2个P-Channel沟道
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -7A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)): 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1.5V
封装: SOP8

详细参数说明:
UD4P20L-S08-R-VB是一款具有两个P-Channel沟道的MOSFET，适用于负载和功率控制应用。其额定电压为-30V，最大电流为-7A，静态漏极-源极电阻为35mΩ，在不同的门源电压下表现稳定。阈值电压为-1.5V，具有良好的电压控制特性。

应用简介:
1. 电源管理模块: UD4P20L-S08-R-VB适用于电源管理模块，如直流-直流转换器和直流-交流逆变器，以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. LED驱动器: 该器件可用于LED驱动器，如LED照明控制模块和汽车前照灯控制器，确保LED的高效驱动和稳定的亮度输出。
3. 汽车电子系统: UD4P20L-S08-R-VB可应用于汽车电子系统，如车灯控制模块和电动窗控制器，以实现精确的电流控制和稳定的电源输出，提高车辆的性能和安全性。

这些示例说明了UD4P20L-S08-R-VB器件在电源管理、LED驱动器和汽车电子系统等领域的适用性和应用场景。