04N50C3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 1. 产品简介
VBsemi的04N50C3-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用平面技术，适用于高达500V的高压工作环境。它具有较高的阈值电压和导通电阻，适合在需要承受高电压和低功率损耗的电路中使用。

### 2. 参数说明
- **封装**：TO220
- **VDS**：500V
- **VGS**：30V（±）
- **阈值电压**：3.1V
- **导通电阻**：660mΩ @ VGS=10V
- **最大电流**：13A

### 3. 应用领域和模块示例
- **开关电源模块**：由于其高耐压特性和适中的电流承载能力，04N50C3-VB适用于开关电源的开关部分。例如，它可以用于逆变器、电源转换器等电源管理模块中。
- **照明应用**：在需要高耐压的LED照明驱动器中，04N50C3-VB可以作为开关器件使用，以实现高效率的照明控制。
- **电动汽车充电器**：这款MOSFET也可以用于电动汽车充电器中，以实现高效能和高耐压的充电解决方案。

这些示例说明了04N50C3-VB在高压、低功率损耗电路中的适用性，显示了其在多种领域和模块中的广泛应用潜力。