以下是您请求的信息:
**产品简介:**
VBsemi的04N50C3-VB是一款TO252封装的单N沟道场效应管。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),以及在VGS=10V时为1000mΩ的导通电阻(RDS(ON)),并且能够承受5A的漏极电流(ID)。该产品采用SJ_Multi-EPI技术制造。
**详细参数说明:**
- 封装:TO252
- 构型:单N沟道
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(门-源电压):30V(±V)
- Vth(阈值电压):3.5V
- RDS(ON)(导通电阻):1000mΩ @ VGS=10V
- ID(漏极电流):5A
- 技术:SJ_Multi-EPI
**适用领域和模块示例:**
1. **电源开关**:由于其较高的漏极-源极电压和低导通电阻,可用于开关电源的设计,例如开关模式电源和变换器。
2. **照明驱动**:在LED照明驱动电路中,可用作功率开关,控制LED的亮度和电流。
3. **电动汽车充电桩**:用于控制充电桩的功率开关和调节,确保安全高效的电动汽车充电。
4. **太阳能逆变器**:用于太阳能电池板系统中的逆变器,将直流电转换为交流电。
5. **工业电子**:用于工业控制和电源管理,如电机驱动器、UPS系统等。
以上是对04N50C3-VB产品的简介、参数说明和适用领域和模块的说明。