100N03-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

100N03-VB是一款单N沟道MOSFET，具有以下主要参数：

- VDS（漏极-源极电压）：30V
- VGS（门极-源极电压）：20V（±）
- Vth（门极阈值电压）：1.7V
- RDS(ON)（导通时的漏极-源极电阻）：4mΩ@VGS=4.5V，3mΩ@VGS=10V
- ID（漏极电流）：120A
- 技术特点：沟道工艺

产品简介：
100N03-VB是一款高性能、高可靠性的单N沟道MOSFET。采用了沟道工艺技术，具有极低的导通电阻和较高的漏极电流，适用于各种高功率要求的场合。

详细参数说明：
1. VDS（漏极-源极电压）：30V，可以适应较高的电压环境。
2. VGS（门极-源极电压）：20V（±），可靠的门控电压范围。
3. Vth（门极阈值电压）：1.7V，可靠的门控特性。
4. RDS(ON)（导通时的漏极-源极电阻）：4mΩ@VGS=4.5V，3mΩ@VGS=10V，极低导通电阻，有利于减小功耗和提高效率。
5. ID（漏极电流）：120A，适用于高功率要求的场合。
6. 技术特点：沟道工艺，提供了较高的性能和可靠性。

应用示例：
100N03-VB可以广泛应用于以下领域和模块：
- 电源模块：适用于各种高功率电源开关模块。
- 电动汽车充电桩：可用于电动汽车充电桩中的高功率开关模块。
- 工业控制：适用于工业控制设备中的高功率电源开关等模块。
- 电动工具：适用于各种高功率电动工具中的功率开关模块。
- 高性能电子设备：适用于高性能电子设备中的功率开关模块。

这些示例表明，100N03-VB在高功率、高性能要求的场合具有广泛的应用前景。