### 产品简介
10N10-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET,采用了槽沟工艺(Trench Technology)。它具有100V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的门极-源极电压(VGS,±V),1.8V 的门极阈值电压(Vth)。在 VGS=10V 时,其导通电阻(RDS(ON))为114mΩ。该器件能够提供最大15A 的漏极电流(ID),并采用 TO252 封装。
### 详细参数说明
- **型号**: 10N10-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单路 N 沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: 100V
- **VGS (门极-源极电压)**: 20V(±V)
- **Vth (门极阈值电压)**: 1.8V
- **RDS(ON) (导通电阻)**: 114mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏极电流)**: 15A
- **工艺**: 槽沟工艺(Trench)
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: 10N10-VB 可以用于电源管理模块中,如用作开关电源的主开关器件。
2. **马达控制**: 在马达控制领域,该器件可以用作马达控制器的开关器件,实现对马达的启停和速度控制。
3. **照明应用**: 在 LED 照明领域,10N10-VB 可以用作 LED 灯的开关器件,控制 LED 的亮度和通断。
以上示例仅代表了部分应用场景,实际上,该产品还适用于其他需要高电压、低导通电阻的领域和模块中。