10N10-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介
10N10-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET，采用了槽沟工艺（Trench Technology）。它具有100V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的门极-源极电压（VGS，±V），1.8V 的门极阈值电压（Vth）。在 VGS=10V 时，其导通电阻（RDS(ON)）为114mΩ。该器件能够提供最大15A 的漏极电流（ID），并采用 TO252 封装。

### 详细参数说明
- **型号**: 10N10-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单路 N 沟道
- **VDS (漏极-源极电压)**: 100V
- **VGS (门极-源极电压)**: 20V（±V）
- **Vth (门极阈值电压)**: 1.8V
- **RDS(ON) (导通电阻)**: 114mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏极电流)**: 15A
- **工艺**: 槽沟工艺（Trench）

### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: 10N10-VB 可以用于电源管理模块中，如用作开关电源的主开关器件。
2. **马达控制**: 在马达控制领域，该器件可以用作马达控制器的开关器件，实现对马达的启停和速度控制。
3. **照明应用**: 在 LED 照明领域，10N10-VB 可以用作 LED 灯的开关器件，控制 LED 的亮度和通断。

以上示例仅代表了部分应用场景，实际上，该产品还适用于其他需要高电压、低导通电阻的领域和模块中。