10N10L-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

10N10L-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和1.8V的阈值电压（Vth）。在VGS=10V时，其导通电阻（RDS(ON)）为100mΩ，最大漏极电流（ID）为20A。这款MOSFET采用槽沟技术制造。

以下是关于10N10L-VB的详细参数说明：

- **封装类型（Package）**：TO263
- **器件类型（Configuration）**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：100V
- **栅极-源极电压（VGS，±V）**：20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：20A
- **技术**：槽沟

关于该产品在哪些领域和模块上的应用，以下是一些例子：

1. **电源模块**：由于其较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，10N10L-VB适用于开关电源和变换器等电源模块。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电动驱动系统中，这款MOSFET可以用作逆变器的关键部件，实现电池供电转换为电动机驱动。
3. **工业控制**：在需要高功率和高效率的工业控制系统中，10N10L-VB可以用作开关器件，用于马达控制和电源管理。
4. **LED照明**：在需要高功率和高亮度的LED照明系统中，这款MOSFET可以用于LED驱动器中的开关器件。

这些只是一些例子，实际上，10N10L-VB可以适用于需要中等电压、高电流、低导通电阻的各种应用场景。