10N10L-VB是一款TO263封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),和1.8V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,其导通电阻(RDS(ON))为100mΩ,最大漏极电流(ID)为20A。这款MOSFET采用槽沟技术制造。
以下是关于10N10L-VB的详细参数说明:
- **封装类型(Package)**:TO263
- **器件类型(Configuration)**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:100V
- **栅极-源极电压(VGS,±V)**:20V
- **阈值电压(Vth)**:1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:20A
- **技术**:槽沟
关于该产品在哪些领域和模块上的应用,以下是一些例子:
1. **电源模块**:由于其较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻,10N10L-VB适用于开关电源和变换器等电源模块。
2. **电动汽车**:在电动汽车的电动驱动系统中,这款MOSFET可以用作逆变器的关键部件,实现电池供电转换为电动机驱动。
3. **工业控制**:在需要高功率和高效率的工业控制系统中,10N10L-VB可以用作开关器件,用于马达控制和电源管理。
4. **LED照明**:在需要高功率和高亮度的LED照明系统中,这款MOSFET可以用于LED驱动器中的开关器件。
这些只是一些例子,实际上,10N10L-VB可以适用于需要中等电压、高电流、低导通电阻的各种应用场景。