**产品简介:**
10N03L-VB是一款TO220封装的单路N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负值),1.7V的阈值电压(Vth),在VGS=4.5V时的导通电阻为4mΩ(RDS(ON)),在VGS=10V时的导通电阻为3mΩ(RDS(ON)),以及120A的漏极电流(ID)。该产品采用槽沟道(Trench)技术制造。
**详细参数说明:**
- 封装:TO220
- 极性:N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):30V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 导通电阻(RDS(ON)):4mΩ @ VGS=4.5V,3mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):120A
- 技术:槽沟道(Trench)
**适用领域和模块:**
- 电源管理:10N03L-VB适用于需要低电压和大电流的电源管理,例如电源开关、电池管理系统等。
- 电机控制:由于其高漏极电流和低导通电阻,这款MOSFET可以用于电机驱动电路中,实现高效率的电机控制。
- LED驱动:在需要高电流驱动LED的应用中,10N03L-VB可以用作LED驱动电路中的开关元件,实现高亮度的LED照明。
- 逆变器:对于需要高效率的逆变器,10N03L-VB可以用作逆变器的关键元件,实现高效率的能量转换。
以上只是一些例子,实际上,10N03L-VB还可以用于许多其他领域和模块,具体取决于应用的要求和设计的需要。