10N80L-T3P-T-VB一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

以下是对10N80L-T3P-T-VB产品的详细介绍：

### 产品简介：
10N80L-T3P-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有高达800V的漏极-源极电压（VDS），并且在VGS为30V（±）时具有3.5V的阈值电压（Vth）。它具有低导通电阻（RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V）和高漏极电流（ID=11A）的特点，适用于多种领域和模块。

### 参数说明：
- **包装类型（Package）**：TO247
- **器件类型（Configuration）**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：800V
- **栅极-源极电压（VGS）**：30V（±）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：11A
- **技术（Technology）**：SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块举例：
1. **电源模块**：由于10N80L-T3P-T-VB具有较高的漏极-源极电压和漏极电流能力，适合用于开关电源模块中的高压侧。
2. **电动车充电器**：在电动车充电器中，10N80L-T3P-T-VB可以用作功率MOSFET，提供高效的能量转换。
3. **工业电机驱动器**：用于工业电机驱动器中的功率开关，以实现高效能的工作性能。
4. **电力传输设备**：在电力传输设备中，可用作开关器件，确保高效的能量转换和传输。

以上是对10N80L-T3P-T-VB产品的简介、参数说明和应用领域和模块的示例说明。