10N90-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

VBsemi的MOSFET产品10N90-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它的主要技术特点包括可靠的900V漏极-源极电压（VDS），以及30V的门极-源极电压（VGS，±V），门极阈值电压（Vth）为3.5V。在VGS=10V时，其导通电阻（RDS(ON)）为950mΩ，额定漏极电流（ID）为7A。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术。

这款MOSFET适用于许多领域和模块。举例来说，在电源领域，它可以用于开关电源、逆变器和充电器等应用。在工业控制领域，它可以用于电机驱动器和自动化控制系统。在照明领域，它可以用于LED驱动器和照明控制。此外，在汽车电子中，它可以应用于电动汽车充电桩和车载电子系统。总的来说，10N90-VB适用于需要高性能、高可靠性的功率开关和控制的各种领域和模块。