### 10N60-VB 产品简介
10N60-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,具有高压(650V)和高电流(10A)特性。采用平面工艺制造,适用于各种领域和模块,如电源管理、电机驱动和照明等。
### 详细参数说明
- **包装类型(Package)**:TO220F
- **配置(Configuration)**:单 N 沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:30V(±)
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:10A
- **技术特点(Technology)**:平面工艺
### 应用示例
- **电源管理**:用于开关电源、逆变器和稳压器等电路中。
- **电机驱动**:可用于控制电机的启停、速度和方向。
- **照明**:适用于 LED 驱动和照明控制电路。
这些示例只是 10N60-VB 在各个领域和模块中的一部分应用,具体应用取决于具体设计需求。