122N10N-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介：
122N10N-VB是一款单N沟道MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、2.5V的阈值电压（Vth）、10.5mΩ@VGS=4.5V和8.5mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及85A的漏极电流（ID）。采用沟槽技术（Trench）制造。

### 参数说明：
- **Package（封装）：** TO252
- **Configuration（配置）：** 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 100V
- **VGS（栅极-源极电压）：** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 2.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 
  - @VGS=4.5V: 10.5mΩ
  - @VGS=10V: 8.5mΩ
- **ID（漏极电流）：** 85A
- **Technology（技术）：** 沟槽（Trench）

### 应用领域和模块示例：
1. **电源模块：** 122N10N-VB在电源模块中广泛应用，用作开关电源的开关管或同步整流器。
2. **电动汽车控制：** 可以作为电动汽车中的驱动器件，用于控制电动汽车的电机，提供高效的电动汽车控制。
3. **工业电气设备：** 在工业电气设备中，可以用于各种电机控制和开关控制，提供高效的工业控制方案。
4. **UPS电源：** 适用于UPS电源系统中的开关管，提供稳定可靠的电源切换和保护功能。
5. **太阳能逆变器：** 在太阳能逆变器中，可以用作关键的开关元件，实现太阳能电能的转换和输出。

这些示例说明了122N10N-VB在各种领域和模块中的广泛应用，展示了其高性能和多功能性。