13NM60N-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的13NM60N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为370mΩ，具有11A的漏极电流（ID）和3.5V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 13NM60N-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 650V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 30V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=10V时：370mΩ
- **ID（漏极电流）**: 11A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

1. **电源逆变器**: 由于13NM60N-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流容量，适用于一些逆变器中的功率开关和控制电路。
2. **电动车电机驱动**: 在电动车的电机驱动系统中，MOSFET通常用于控制电机的启停和速度调节。13NM60N-VB可用于电动车的电机驱动器中，提供高效率的功率控制。
3. **LED照明**: 由于其较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，13NM60N-VB适用于LED照明驱动器和控制器，提供稳定的电流和照明控制。
4. **电源管理**: 在一些低功率的电源管理系统中，该器件可用于功率开关和控制电路，提高系统的能量转换效率。
5. **工业控制**: 在工业控制领域，MOSFET通常用于各种控制电路和功率开关。13NM60N-VB可用于工业控制系统中的功率开关和控制电路。

以上领域和模块仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。