16N50U-VB一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

### 16N50U-VB TO220F MOSFET 产品简介

**产品简介：**

VBsemi的16N50U-VB是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用了平面技术制造。它具有较低的导通电阻（RDS(ON)），适用于550V的漏源电压（VDS），可提供稳定可靠的功率开关性能。

### 16N50U-VB TO220F MOSFET 详细参数说明

**封装类型：** TO220F  
**配置：** 单N沟道  
**漏源电压 (VDS)：** 550V  
**栅源电压 (VGS)：** 30（±V）  
**阈值电压 (Vth)：** 3V  
**导通电阻 (RDS(ON))：** 260mΩ@VGS=10V  
**漏极电流 (ID)：** 18A  
**技术：** 平面

### 16N50U-VB TO220F MOSFET 适用领域和模块

**应用领域：**

1. **电源逆变器：** 
   - 由于其高漏源电压和低导通电阻特性，适用于工业和家庭用途的电源逆变器中，可提供高效的能量转换和稳定的电源输出。

2. **电动汽车充电桩：**
   - 适用于电动汽车充电桩中的功率开关模块，支持高电压和大电流的转换，提供安全可靠的充电功能。

3. **工业控制系统：**
   - 在工业控制领域中，可用于各种功率转换模块，如变频器和伺服驱动器，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。

4. **电源管理系统：**
   - 可用于各种电源管理系统中的功率开关模块，支持高效的能量管理和稳定的电源输出。

5. **照明应用：**
   - 适用于LED照明驱动器和其他高功率照明应用中的功率开关模块，提供高效能的照明解决方案。

通过这些应用实例，可以看出16N50U-VB TO220F MOSFET在多个领域和模块上都能提供高效能的功率开关解决方案，满足不同应用场景的需求。