### 13N50H-VB MOSFET 产品简介
VBsemi的13N50H-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装技术。这种MOSFET在550V的漏源电压(VDS)和30V(±V)的栅源电压(VGS)下工作。其开态电阻(RDS(ON))在栅源电压为10V时为260mΩ。该器件的额定电流(ID)为18A,采用了Plannar技术,适用于中功率应用场景。
### 13N50H-VB MOSFET 参数说明
- **型号:** 13N50H-VB
- **封装:** TO220F
- **配置:** 单N沟道
- **漏源电压(VDS):** 550V
- **栅源电压(VGS):** 30(±V)
- **阈值电压(Vth):** 3V
- **开态电阻(RDS(ON))@VGS=10V:** 260mΩ
- **额定电流(ID):** 18A
- **技术:** Plannar
### 13N50H-VB MOSFET 应用领域及模块示例
1. **电源转换器:**
13N50H-VB MOSFET适用于各种中功率的电源转换器,如LED驱动器、工业电源等。其高漏源电压和额定电流使其成为电源转换器中的理想选择,提高了转换器的效率和可靠性。
2. **照明应用:**
在照明应用中,13N50H-VB MOSFET可用于LED照明驱动器和电源控制。其高漏源电压和低导通电阻确保了LED照明系统的高效率和长寿命。
3. **电动汽车充电桩:**
在电动汽车充电桩中,13N50H-VB MOSFET可用于控制充电桩的电源转换和开关。其高漏源电压和额定电流确保了充电桩的高效率和可靠性。
4. **电动汽车动力逆变器:**
在电动汽车动力逆变器中,13N50H-VB MOSFET可用于控制电动汽车的动力系统。其高漏源电压和额定电流使其能够满足动力逆变器的功率需求,提高了电动汽车的性能和效率。
通过这些应用领域和模块的实例,13N50H-VB MOSFET展示了其在中功率需求场景中的适用性,成为各类电子系统中不可或缺的核心组件。