16NF25-VB TO252一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管

### 产品简介

VBsemi的16NF25-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET，设计用于承受最大250V的漏极-源极电压（VDS）。这款MOSFET具有20V（±）的栅极-源极电压（VGS）和3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时，其导通电阻RDS(ON)为176mΩ，并且具有17A的漏极电流（ID）。

### 参数说明

- **封装**：TO252
- **构型**：单N沟道
- **最大漏极-源极电压**：250V
- **栅极-源极电压**：20V（±）
- **阈值电压**：3.5V
- **导通电阻**：176mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流**：17A
- **技术**：沟道

### 适用领域和模块

1. **电源模块**：由于16NF25-VB具有适中的漏极-源极电压和较低的导通电阻，适用于各种电源模块，包括开关电源和逆变器，能够提供高效的功率转换。

2. **LED驱动**：在LED照明中，这款MOSFET可以用作LED驱动电路的开关元件，帮助实现高效的LED照明系统设计。

3. **电动工具**：在电动工具中，16NF25-VB可以用作电机的开关元件，帮助实现高功率和高效率的电动工具设计。

4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，这款MOSFET可以用于电动汽车的电动驱动系统，提供高效的功率控制和转换。

5. **太阳能逆变器**：用于太阳能逆变器中的开关电源和逆变器控制，可实现太阳能电能的高效转换。

以上是对16NF25-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明。