17NF25-VB一款N-Channel沟道TO252封装的场效应MOS管

### 产品简介

**17NF25-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品采用TO252封装，具有高性能和可靠性，适用于中功率应用。17NF25-VB MOSFET采用Trench技术制造，具有较低的导通电阻和较高的漏源电压。

### 详细参数说明

- **型号**：17NF25-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **最大漏源电压（VDS）**：250V
- **最大栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：176mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：17A
- **技术**：Trench

### 适用领域和模块示例

1. **电源管理**：
   17NF25-VB适用于中功率电源管理系统中的功率开关控制。其低导通电阻和高漏源电压特性，能够提高系统的效率和稳定性。

2. **电动工具**：
   在电动工具中，17NF25-VB可用于电动马达的功率开关控制。其高电流承载能力和稳定性，能够满足电动工具的高功率需求。

3. **照明应用**：
   该MOSFET适用于LED照明驱动器中的功率开关控制。其高效率和高可靠性，有助于提高LED照明系统的性能和可靠性。

4. **工业控制**：
   在工业控制系统中，17NF25-VB可用于电机驱动器和电源调节器等应用。其高效率和高可靠性，能够满足工业环境中的高要求。

17NF25-VB以其高性能和可靠性，适用于多种中功率应用场景，是功率控制电路设计的理想选择。