17NF25-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

### 产品简介：
VBsemi 17NF25-VB TO220 MOSFET是一款单N沟道MOSFET，具有250V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS）（±V），3.5V的阈值电压（Vth），和190mΩ的导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时。该器件能够承受最大14A的漏极电流（ID），采用Trench技术。

### 参数说明：
- **包装：** TO220
- **构型：** 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 250V
- **VGS（栅极-源极电压）：** 20V（±V）
- **Vth（阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）：** 190mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 14A
- **技术：** Trench

### 应用领域和模块：
1. **工业控制：** 17NF25-VB TO220 MOSFET可用于工业电路中的开关电源和驱动器，如电机控制和电源转换器。
2. **电源管理：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，该器件适用于各种电源管理应用，包括DC-DC转换器和AC-DC变换器。
3. **照明：** 作为LED驱动器和照明控制电路的一部分，这种MOSFET可以实现高效能的照明系统。
4. **汽车电子：** 在汽车系统中，这种器件可用于电动车辆的电源管理和控制，例如电动汽车充电桩。
5. **通信设备：** 在通信基础设施中，这种MOSFET可用于功率放大器和射频开关。

以上是17NF25-VB TO220 MOSFET在不同领域和模块中的应用示例。