18N60M2-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 18N60M2-VB TO220 MOSFET产品简介：

VBsemi的18N60M2-VB TO220是一款TO220封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），220mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及15A的漏极电流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技术。

18N60M2-VB TO220详细参数说明：

- 封装：TO220
- 类型：单通道N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（栅极-源极电压）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：220mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：15A
- 技术：SJ_Multi-EPI

这款MOSFET适用于一系列高压、高效率的功率开关应用，如电源适配器、UPS、电源管理、照明等领域。