VBsemi的MOSFET产品18NM60N-VB是一款单通道N沟道器件,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3.5V的阈值电压(Vth)。该器件采用了SJ_Multi-EPI技术,以下是对该产品的详细介绍和参数说明:
**产品简介:**
18NM60N-VB MOSFET是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,适用于各种高压应用。它具有低开关损耗和高导通能力,适用于需要高效能和可靠性的应用场合。该器件广泛应用于各种领域和模块,如电源供应、电机控制、照明、通信设备等。
**详细参数:**
- **VDS(漏极-源极电压):** 650V
- **VGS(栅极-源极电压):** 30V(±V)
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 20A
- **封装:** TO220
- **技术:** SJ_Multi-EPI
**适用领域和模块:**
18NM60N-VB适用于各种领域和模块,包括但不限于:
1. **电源供应模块:** 用于开关电源、逆变器和稳压器等模块中,以提供高效的电能转换和控制。
2. **电机控制:** 用于电动汽车、工业机械和家用电器等领域中,以实现高效的电机控制和驱动。
3. **照明应用:** 用于LED照明、室内照明和汽车照明等场合中,以提供高效、可靠的照明解决方案。
4. **通信设备:** 用于通信基站、卫星通信和光纤通信等领域中,以实现高效的信号处理和传输。
总的来说,18NM60N-VB MOSFET是一款性能优良、适用广泛的功率器件,适合各种高压应用领域和模块。