### 产品简介
VBsemi的19N10L-TM3-T-VB是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有100V的漏极-源极电压(VDS)和20V的门极-源极电压(VGS)。该器件采用Trench技术制造,具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))为110mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流(ID)为15A。这使得19N10L-TM3-T-VB非常适合低中压应用,如电源管理、电机驱动器和其他需要高性能MOSFET的领域。
### 详细参数说明
- **Package**:TO251
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:100V
- **VGS**:20V(±)
- **Vth**:1.8V
- **RDS(ON)**:110mΩ @ VGS=10V
- **ID**:15A
- **Technology**:Trench
### 适用领域和模块示例
19N10L-TM3-T-VB适用于各种低中压、高性能MOSFET的应用,包括但不限于:
1. **电源管理**:由于其低中压特性,19N10L-TM3-T-VB可用于开关电源、电源逆变器和电源转换器等低中压电源管理系统中,提供高效率和可靠性。
2. **电机驱动器**:在需要低中压电机驱动器的应用中,如工业机械、家用电器等,19N10L-TM3-T-VB可以实现高效的电机控制。
3. **消费电子**:在需要高性能、低中压MOSFET的消费电子产品中,19N10L-TM3-T-VB可以用于电源管理、DC-DC转换器等模块。
4. **LED照明**:由于其高性能和可靠性,19N10L-TM3-T-VB适用于LED照明驱动器和其他低中压照明应用。
5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,19N10L-TM3-T-VB可用于电动汽车充电桩、DC-DC转换器和其他低中压应用。
总之,19N10L-TM3-T-VB是一款功能强大、可靠性高的低中压MOSFET,适用于各种低中压应用领域和模块。