### 产品简介:
VBsemi的19N10V-VB是一款单N沟道MOSFET,具有高性能和可靠性。采用槽道技术,适用于各种领域和模块的应用。
### 详细参数说明:
- **包装**:TO252
- **结构**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:100V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:57mΩ @ VGS=4.5V;55mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:25A
- **技术**:槽道
### 应用示例:
1. **电源模块**:由于其高导通电阻和高漏极电流,19N10V-VB适用于高功率电源模块,能够提供稳定的电能转换。
2. **电动汽车控制器**:在电动汽车控制器中,这款MOSFET可以用于控制电机的功率输出,提高电动汽车的性能。
3. **工业电源**:在工业电源设备中,这款MOSFET可以用于开关电源和UPS系统,提供稳定可靠的电力输出。
4. **电机驱动**:在需要大电流输出的电机驱动模块中,这款MOSFET能够提供可靠的开关控制和低损耗的功率转换。
5. **LED照明**:在需要高亮度和高效率的LED照明应用中,这款MOSFET可以用作驱动器,提供稳定的电流输出。
以上是19N10V-VB的产品简介、详细参数说明和应用示例。