19N10VL-TN3-T-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 19N10VL-TN3-T-VB TO252 MOSFET产品简介：

VBsemi的19N10VL-TN3-T-VB TO252是一款TO252封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.8V的阈值电压（Vth），57mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V和55mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及25A的漏极电流（ID）。采用Trench技术。

19N10VL-TN3-T-VB TO252详细参数说明：

- 封装：TO252
- 类型：单通道N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：100V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V，55mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：25A
- 技术：Trench

产品应用领域和模块示例：

1. 电源管理模块：19N10VL-TN3-T-VB TO252适用于需要高电压和高电流的电源管理模块中的功率开关电路。

2. 汽车电子系统：在汽车电子系统中，19N10VL-TN3-T-VB TO252可以用于驱动电动机和其他功率控制应用，提高系统效率。

3. 工业控制系统：在需要高电压和高电流的工业控制系统中，19N10VL-TN3-T-VB TO252可以提供稳定可靠的性能。

4. 电源适配器：由于19N10VL-TN3-T-VB TO252具有较低的导通电阻和高的漏极电流，适用于电源适配器中的功率开关电路，提高能源转换效率。

以上是关于VBsemi 19N10VL-TN3-T-VB TO252 MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。