### 产品简介:
VBsemi的19N10L-TN3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有高性能和可靠性。这款器件适用于中等功率和中等电压的应用场合,如电源管理和马达控制。
### 参数说明:
- **包装**: TO252
- **VDS**: 100V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.8V
- **RDS(ON)**: 57mΩ @ VGS=4.5V, 55mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 25A
### 应用领域和模块示例:
1. **电源管理**: 由于其中等功率特性,19N10L-TN3-T-VB适用于开关电源和逆变器模块,实现高效的能量转换。
2. **马达控制**: 在工业和汽车领域,这种MOSFET可用于中等功率的马达控制,包括直流电机和步进电机。
3. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,这种MOSFET可用于马达控制和电池管理,提供稳定的电源和高效的电动机驱动。
4. **LED驱动**: 19N10L-TN3-T-VB适用于LED照明系统中的电流控制和功率调节,提高LED照明系统的效率和稳定性。
5. **电源逆变器**: 这种MOSFET可用于各种电源逆变器,如太阳能逆变器和风力发电机逆变器,实现电能的转换和调节。