19N10L-TN3-T-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的19N10L-TN3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有高性能和可靠性。这款器件适用于中等功率和中等电压的应用场合，如电源管理和马达控制。

### 参数说明：

- **包装**: TO252
- **VDS**: 100V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.8V
- **RDS(ON)**: 57mΩ @ VGS=4.5V, 55mΩ @ VGS=10V
- **ID**: 25A

### 应用领域和模块示例：

1. **电源管理**: 由于其中等功率特性，19N10L-TN3-T-VB适用于开关电源和逆变器模块，实现高效的能量转换。
   
2. **马达控制**: 在工业和汽车领域，这种MOSFET可用于中等功率的马达控制，包括直流电机和步进电机。

3. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，这种MOSFET可用于马达控制和电池管理，提供稳定的电源和高效的电动机驱动。

4. **LED驱动**: 19N10L-TN3-T-VB适用于LED照明系统中的电流控制和功率调节，提高LED照明系统的效率和稳定性。

5. **电源逆变器**: 这种MOSFET可用于各种电源逆变器，如太阳能逆变器和风力发电机逆变器，实现电能的转换和调节。