19NM50N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的19NM50N-VB TO220是一款单N沟道MOSFET，具有高耐压和低导通电阻。采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种领域和模块的高性能应用。

### 详细参数说明：

- **包装**：TO220
- **结构**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：650V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：20A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用示例：

1. **电源逆变器**：由于其高耐压和低导通电阻，19NM50N-VB TO220适用于电力电子设备中的逆变器模块，能够提供稳定的电力转换。

2. **充电桩**：在充电桩中，这款MOSFET可以用作开关管，实现电能的快速控制和转换。

3. **太阳能逆变器**：在太阳能电池系统中，这款MOSFET能够承受高压，适用于逆变器和电能调节模块。

4. **工业电源**：在工业电源设备中，这款MOSFET可以用于开关电源和UPS系统，提供稳定可靠的电力输出。

5. **电动汽车充电器**：在电动汽车充电器中，这款MOSFET可以用于高效率的电能转换，提高充电速度。

以上是19NM50N-VB TO220的产品简介、详细参数说明和应用示例。