### 产品简介:
VBsemi的200N6F3-VB-VB是一款单N沟道MOSFET,具有高性能和可靠性。采用Trench技术,适用于各种领域和模块的高功率应用。
### 详细参数说明:
- **包装**:TO262
- **结构**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:60V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:2.8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:210A
- **技术**:Trench
### 应用示例:
1. **电源模块**:由于其高漏极电流和低导通电阻,200N6F3-VB-VB适用于高功率电源模块,如开关电源和逆变器。
2. **电动车辆**:在电动汽车和电动自行车中,这款MOSFET可以用于电机驱动,提供高效率的能量转换。
3. **工业设备**:在工业控制和自动化设备中,这款MOSFET可以用于功率放大和控制,提高设备的效率和可靠性。
4. **电源管理**:在需要高功率管理的应用中,这款MOSFET可以用于稳压器和电源开关,实现高效的电能转换。
5. **UPS系统**:在不间断电源系统中,这款MOSFET可以用于控制电能转换和提供稳定的电力输出。
以上是200N6F3-VB-VB的产品简介、详细参数说明和应用示例。