200N6F3-VB-VB一款N-Channel沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的200N6F3-VB-VB是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用Trench技术，适用于各种领域和模块的高功率应用。

### 详细参数说明：

- **包装**：TO262
- **结构**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：60V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：2.8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：210A
- **技术**：Trench

### 应用示例：

1. **电源模块**：由于其高漏极电流和低导通电阻，200N6F3-VB-VB适用于高功率电源模块，如开关电源和逆变器。

2. **电动车辆**：在电动汽车和电动自行车中，这款MOSFET可以用于电机驱动，提供高效率的能量转换。

3. **工业设备**：在工业控制和自动化设备中，这款MOSFET可以用于功率放大和控制，提高设备的效率和可靠性。

4. **电源管理**：在需要高功率管理的应用中，这款MOSFET可以用于稳压器和电源开关，实现高效的电能转换。

5. **UPS系统**：在不间断电源系统中，这款MOSFET可以用于控制电能转换和提供稳定的电力输出。

以上是200N6F3-VB-VB的产品简介、详细参数说明和应用示例。