**产品简介:**
200N6F3-VB是一款单N沟道功率MOSFET,具有60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3V的阈值电压(Vth)。该器件采用了Trench技术,适用于中功率应用。
**详细参数:**
- **VDS(漏极-源极电压):** 60V
- **VGS(栅极-源极电压):** 20V(±V)
- **阈值电压(Vth):** 3V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 210A
- **封装:** TO220
- **技术:** Trench
**适用领域和模块:**
200N6F3-VB适用于中功率应用,包括但不限于:
1. **电源管理:** 用于中功率开关电源、逆变器和稳压器等模块中,以提供可靠的电能转换和控制。
2. **电机控制:** 用于中功率电机控制、工业机械和家用电器等领域中,以实现高效的电机控制和驱动。
3. **照明应用:** 用于LED照明、室内照明等场合中,以提供高效、可靠的照明解决方案。
总的来说,200N6F3-VB MOSFET是一款适用于中功率应用的MOSFET,具有可靠的性能和广泛的应用领域。