200N4F3-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的200N4F3-VB是一款单N沟道MOSFET，具有40V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS），和3V的阈值电压（Vth）。它采用了Trench技术，具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET的RDS(ON)为2.5mΩ@VGS=4.5V和2mΩ@VGS=10V，ID为150A，适用于高功率应用场合。

### 参数说明：

- **型号：** 200N4F3-VB
- **包装：** TO263
- **配置：** 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 40V
- **VGS（栅极-源极电压）：** 20V（±）
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **RDS(ON)（@ VGS=4.5V）：** 2.5mΩ
- **RDS(ON)（@ VGS=10V）：** 2mΩ
- **ID（漏极电流）：** 150A
- **技术：** Trench

### 适用领域和模块：

由于200N4F3-VB的高功率特性，适用于一些高功率场合，例如：

1. **电源模块：** 200N4F3-VB可以用于开关电源模块，提供高效率和可靠性。
2. **电动汽车控制：** 在电动汽车的电机控制器中，这款MOSFET可以用于电机驱动器，实现高效率的电机控制。
3. **工业电机驱动：** 在工业电机驱动系统中，200N4F3-VB可以用作电机驱动器的开关元件，实现高效率的驱动控制。

这些是200N4F3-VB MOSFET的一些应用领域示例，由于其高功率特性，适用范围相对较广，可以用于许多需要高功率开关控制的领域和模块。