04N65-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：
VBsemi的04N65-VB是一款TO220F封装的单N沟道场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，正负值）、3.5V的阈值电压（Vth）、2560mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及4A的漏极电流（ID）。采用了平面工艺（Plannar Technology），在高电压下具有良好的性能和可靠性。

### 参数说明：
- 封装：TO220F
- 类型：单N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（栅极-源极电压）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- RDS(ON)：2560mΩ@VGS=10V
- ID（漏极电流）：4A
- 工艺：平面工艺

### 适用领域和模块：
- 电源开关模块：由于其高电压和低导通电阻特性，04N65-VB适用于电源开关模块，如开关电源、UPS系统和逆变器。
- 照明驱动模块：在需要高电压驱动和稳定性能的LED照明系统中，该器件也是一个理想选择。
- 工业电子：在工业控制和自动化领域，由于其耐高压和高电流的特性，04N65-VB常被应用于高压开关和控制模块中。
- 电动汽车充电桩：在电动汽车充电桩中，由于其高电压和低导通电阻的特性，04N65-VB可以提供可靠的功率开关控制。