### 产品简介:
VBsemi的04N65-VB是一款TO220F封装的单N沟道场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS,正负值)、3.5V的阈值电压(Vth)、2560mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及4A的漏极电流(ID)。采用了平面工艺(Plannar Technology),在高电压下具有良好的性能和可靠性。
### 参数说明:
- 封装:TO220F
- 类型:单N沟道
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- RDS(ON):2560mΩ@VGS=10V
- ID(漏极电流):4A
- 工艺:平面工艺
### 适用领域和模块:
- 电源开关模块:由于其高电压和低导通电阻特性,04N65-VB适用于电源开关模块,如开关电源、UPS系统和逆变器。
- 照明驱动模块:在需要高电压驱动和稳定性能的LED照明系统中,该器件也是一个理想选择。
- 工业电子:在工业控制和自动化领域,由于其耐高压和高电流的特性,04N65-VB常被应用于高压开关和控制模块中。
- 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,由于其高电压和低导通电阻的特性,04N65-VB可以提供可靠的功率开关控制。