### 一、产品简介
230N06L-VB 是 VBsemi 生产的一款高性能单N沟道MOSFET,封装为TO220,适用于低压、高功率的电源开关和电机驱动等应用。采用沟槽技术(Trench),具有低导通电阻和高电流能力。
### 二、详细参数说明
- **型号**:230N06L-VB TO220
- **封装**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源极电压 (VGS)**:20(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS=4.5V
- 24mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:50A
- **技术**:沟槽技术(Trench)
### 三、应用领域和模块示例
1. **电源开关**:230N06L-VB TO220 适用于低压电源开关,如直流稳压器和逆变器。其低导通电阻和高漏极电流使其在低压高功率环境中具有良好的性能。
2. **电动工具**:在需要高功率和高效能的电动工具中,230N06L-VB TO220 可以作为电机驱动器的关键部件,提供高效能的功率开关和电流控制。
3. **LED照明**:在LED照明控制系统中,该MOSFET可以用于电流调节和保护,确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
4. **电池管理系统**:在需要对锂电池进行充放电控制的系统中,230N06L-VB TO220 可以作为开关元件使用,保护电池不受过充、过放电的影响。
5. **消费电子产品**:在便携式设备如笔记本电脑和平板电脑中,该MOSFET可以用于电源管理IC,提供高效的电源分配和保护。
通过以上应用示例,可以看出230N06L-VB TO220 在低压、高功率应用中有着广泛的应用前景,具有稳定可靠的性能和高效的电能转换能力。