114N03L-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介
VBsemi的114N03L-VB TO220是一款单N沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），以及在VGS=4.5V时为9mΩ，在VGS=10V时为6mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的漏极电流（ID）额定为80A，采用沟道技术制造。

### 参数说明
- **包装形式**：TO220
- **通道类型**：单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：30V
- **VGS（栅极-源极电压）**：20V（±V）
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：9mΩ @ VGS=4.5V；6mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：80A
- **技术**：沟道

### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**：114N03L-VB TO220可用于高效率的低压降电源模块，如DC-DC转换器和电源管理模块。
2. **电机驱动**：由于具有低导通电阻和高漏极电流额定值，该MOSFET适用于直流电机驱动器和控制器。
3. **LED照明**：在LED照明驱动电路中，这种器件可以用作高效的开关装置，帮助实现节能和稳定的照明效果。
4. **电池保护**：114N03L-VB TO220可用于电池保护电路，帮助确保电池在充电和放电过程中的安全性和稳定性。
5. **电动工具**：该器件也适用于电动工具的电源控制和电机驱动，具有良好的性能和可靠性。

以上仅为一些常见应用领域和模块，实际应用中还可能有其他领域和模块。