### 产品简介
2N90-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,由VBsemi提供。该器件具有950V的漏极-源极电压,适用于中功率应用。采用了Plannar技术,提供了可靠的性能和稳定性。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:950V
- **栅源极电压 (VGS)**:±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:5400mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:3A
- **技术**:Plannar
### 应用领域和模块
2N90-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用,以下是一些典型的应用示例:
1. **电源管理**:
由于其高漏极-源极电压,该器件适用于电源管理应用,如开关电源、逆变器等。
2. **电机驱动**:
在电机驱动系统中,2N90-VB 可以用作电机控制电路中的开关器件,帮助实现电机的控制和调节。
3. **电动汽车充电**:
该器件适用于电动汽车充电桩中的开关器件,帮助实现对电动汽车充电的控制和管理。
4. **工业控制**:
2N90-VB 可以用作工业控制系统中的开关器件,实现对各种设备和机械的控制。
5. **医疗设备**:
在医疗设备中,该MOSFET 可以用于电源管理和控制电路,保证设备的稳定性和可靠性。
以上应用示例展示了2N90-VB 的广泛应用领域和多功能性,使其成为各种电子系统中的理想选择。