2N90-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 产品简介

2N90-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，由VBsemi提供。该器件具有950V的漏极-源极电压，适用于中功率应用。采用了Plannar技术，提供了可靠的性能和稳定性。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：950V
- **栅源极电压 (VGS)**：±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：5400mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：3A
- **技术**：Plannar

### 应用领域和模块

2N90-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用，以下是一些典型的应用示例：

1. **电源管理**：
   由于其高漏极-源极电压，该器件适用于电源管理应用，如开关电源、逆变器等。

2. **电机驱动**：
   在电机驱动系统中，2N90-VB 可以用作电机控制电路中的开关器件，帮助实现电机的控制和调节。

3. **电动汽车充电**：
   该器件适用于电动汽车充电桩中的开关器件，帮助实现对电动汽车充电的控制和管理。

4. **工业控制**：
   2N90-VB 可以用作工业控制系统中的开关器件，实现对各种设备和机械的控制。

5. **医疗设备**：
   在医疗设备中，该MOSFET 可以用于电源管理和控制电路，保证设备的稳定性和可靠性。

以上应用示例展示了2N90-VB 的广泛应用领域和多功能性，使其成为各种电子系统中的理想选择。