### 产品简介
**产品型号:2SK1316-VB**
**封装类型:TO252**
**配置:单一N沟道**
**技术:SJ_Multi-EPI**
**主要特点:**
- **VDS(漏源电压):** 650V
- **VGS(栅源电压):** ±30V
- **Vth(阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 700mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 7A
2SK1316-VB是一款高压N沟道MOSFET,适用于中等功率应用。
### 参数说明
1. **基本参数:**
- **型号:** 2SK1316-VB
- **封装类型:** TO252
- **配置:** 单一N沟道
- **技术:** SJ_Multi-EPI
2. **电气特性:**
- **漏源电压 (VDS):** 650V
- **栅源电压 (VGS):** ±30V
- **阈值电压 (Vth):** 3.5V
3. **导通电阻 (RDS(ON)):**
- **@ VGS=10V:** 700mΩ
4. **漏极电流 (ID):** 7A
5. **其他特性:**
- **最大耗散功率:** 46W
- **工作温度范围:** -55°C 至 150°C
### 应用领域和模块
1. **电源管理:**
由于2SK1316-VB具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适用于各种中等功率电源管理应用,如开关电源、逆变器等。
2. **工业控制:**
在工业控制设备中,这款MOSFET可用于功率开关和控制电路,提供高效的电流控制和管理。
3. **照明应用:**
在LED照明系统中,2SK1316-VB可用于开关电源和LED驱动器,提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
4. **电动汽车充电桩:**
在电动汽车充电桩中的功率控制电路,这款MOSFET可用于开关电源和功率转换,确保高效的能量转换和稳定的电流输出。
综上所述,2SK1316-VB是一款适用于中等功率应用的高压N沟道MOSFET,可广泛应用于电源管理、工业控制、照明应用和电动汽车充电桩等领域。