2SK1530-VB一种N-Channel沟道TO3P封装MOS管

### 2SK1530-VB 产品简介

2SK1530-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO3P封装。它具有200V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的栅极-源极电压（VGS）、4V的阈值电压（Vth），采用Trench技术，适用于高功率应用。

### 2SK1530-VB 详细参数说明

- **型号：2SK1530-VB**
- **封装：TO3P**
- **极性：单N沟道**
- **漏源电压 (VDS)：200V**
- **栅源电压 (VGS)：±20V**
- **阈值电压 (Vth)：4V**
- **导通电阻 (RDS(ON))：13.8mΩ @ VGS=10V**
- **漏极电流 (ID)：96A**
- **技术：Trench**

### 适用领域和模块

1. **电源管理模块**
   - **应用实例**：由于2SK1530-VB 具有较低的导通电阻和高漏极电流的特性，适合用于各种电源管理模块中，如DC-DC转换器和功率放大器，以提高模块的效率和性能。

2. **电动汽车驱动**
   - **应用实例**：在电动汽车驱动系统中，2SK1530-VB 可以用作关键的开关元件，确保电动汽车的高效运行和稳定性。

3. **工业电机控制**
   - **应用实例**：在工业电机控制系统中，2SK1530-VB 可以用于各种高功率开关电路，确保电机系统的稳定运行和高效能。

4. **服务器电源**
   - **应用实例**：在服务器电源系统中，2SK1530-VB 可以用作高功率开关元件，确保服务器系统的高效能和稳定性。

通过这些应用实例，可以看出 2SK1530-VB 在高功率电子设备和电路中的广泛应用，展示了其在功率管理和控制领域中的重要性和实用性。