2SK1529-VB一种N-Channel沟道TO3P封装MOS管

### 2SK1529-VB MOSFET 产品概述

**简介：**
2SK1529-VB是VBsemi设计的N-Channel MOSFET，适用于中压高电流应用。采用Trench技术，具有低导通电阻和高电流能力，适用于需要高效能和高稳定性的电路设计。

**特点：**
- **漏极-源极电压（VDS）：** 200V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 4V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 13.8mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流（ID）：** 96A
- **技术：** Trench
- **封装：** TO3P
- **配置：** 单N-Channel

### 详细规格

1. **电气特性：**
   - **最大漏极-源极电压（VDS）：** 200V
   - **最大栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
   - **阈值电压（Vth）：** 4V
   - **导通电阻（RDS(ON)）：** 13.8mΩ @ VGS = 10V
   - **连续漏极电流（ID）：** 96A

2. **热性能和机械特性：**
   - **封装类型：** TO3P
   - **结-外界热阻：** 标准TO3P封装的热阻
   - **最大结温（Tj）：** 由制造商指定

3. **性能特点：**
   - **技术：** Trench
   - **栅极电荷（Qg）：** 基于VGS和ID的典型值
   - **输入电容（Ciss）：** 高频操作的典型值

### 应用示例

1. **电源管理：**
   2SK1529-VB适用于中压高电流的电源管理系统，如电池管理、电源开关和稳压器。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源管理方面表现出色。

2. **电机驱动：**
   该MOSFET可用于驱动中压电机，如电动汽车、工业机械和家用电器中的电机。其高电流能力和低导通电阻使其成为驱动电机的理想选择。

3. **工业控制系统：**
   在工业控制系统中，2SK1529-VB可用于控制开关和电流控制器。其高电流和高稳定性使其成为工业设备中不可或缺的元件。

综上所述，VBsemi的2SK1529-VB MOSFET是一款适用于中压高电流应用的N-Channel MOSFET，具有低导通电阻和高电流能力，适用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。其高效能和高稳定性使其成为各种应用的理想选择。